的随机存取存储器SRAM：静态，环境下加电，要刷新不需，会丢失数据不，且而，列地址复用的一般不是行。

　　静态的一个是，动态的一个是，态触发器来保留消息静态的是用的双稳，是用电子而动态的，刷新来连结要不时的。

　　随机存取存储器DRAM：动态，断的刷新需要不，存数据才能保。地址复用的并且是行列，有页模式很多都。

　　nchronousDRAMSDRAM的英文全称是Sy，扩凑数据输出内存翻译成中文就是，EDORAM速度都快它比一般DRAM和，C机的尺度内存设置装备摆设它曾经逐步成为P。

　　英文原意是储藏Cache的，SRAM制造它一般利用，据的速度高于DRAM它与CPU之间互换数，速缓冲存储器所以被称作高，高速缓存简称为。常跨越其它部件的消息传送速度因为CPU的消息处置速度常，息存储器常常使CPU处于期待形态所以利用一般的DRAM来作为信，源的华侈形成资。处理这个问题而降生的Cache就是为了。统启动当前在操作系，些系统消息临时储具有Cache里面CPU就把DRAM中经常被挪用的一，要挪用这些消息时当前当CPU需，che里去找起首到Ca，找到了若是，che里读取就间接从Ca，速机能就能够节流良多时间如许操纵Cache的高。成了必然量的Cache大大都CPU在本身中集，存或内置Cache一般被称作一级缓。的消息互换速度是最快的这部门存储器与CPU，量较小但容。集成了Cache大大都主板上也，存或外置Cache一般被称作二级缓，he容量大些比内置Cac，到256K一般可达，512K～2M的高速缓存此刻有的主板曾经利用了。um二代CPU内部在最新的Penti，缓存和二级缓存曾经集成了一级，e就只能叫作三级缓存了那时主板上的Cach。

　　步动态随机存储器SDRAM：同，RAM叫DDRSDRAM像电脑的内存就是用的这种。度很是高其集成，动态的由于是，有刷新电路所以必需，必需得刷新数据每隔一段时间。是按线性陈列的其存储单位不，页的是分。内存都是用的SDRAM一般的嵌入式产物里面的。

　　擦除可编程只读存储器EEPROM：电可，M就先辈点了比之EPRO，除里面临数据能够用电来擦，比力多的存储器也是此刻用得，列的EEPROM好比24CXX系。

　　M因为实现工艺问题DRAM和SDRA，RAM大容量较S。不如SRAM可是读写速度，此刻可是，度也曾经很快了SDRAM的速，有150兆的了时钟仿佛曾经。期小于10ns了那么就是读写周。然工作频次高SDRAM虽，吐率要打扣头可是现实吞。33为例以PC1，是7.5ns它的时钟周期，ency=2时当CASlat，完成8个突发读操作它需要12个周期，8个突发写操作10个周期完成。过不，式拜候Bank若是以交替方，个读写操作(当然除去刷新操作)SDRAM能够在每个周期完成一。步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)其实此刻的支流高速存储器是SSRAM(同。AM最大容量是8Mb/片目前能够便利买到的SSR，是166MHz最大工作速度;最大容量是128Mb/片能够便利买到的SDRAM，是133MHz最大工作速度。

　　AMSR，存取存储器静态的随机，环境下加电，要刷新不需，会丢失数据不，且而，列地址复用的一般不是行。

　　可分为静态随机存储器SRAM内存(即随机存贮器RAM)，器DRAM两种和动态随机存储。存”是指DRAM我们经常说的“内。家却接触的很少而SRAM大。

　　是StaticRAMSRAM的英文全称，静态随机存储器翻译成中文就是。于制造CacheSRAM次要用。

　　的设想类型决定的这个是因为ram，t和一个rc电路dram用了一个，电和迟缓放电导致电容毁漏。的刷新来连结数所以需要经常据

　　同步动态RAMSDRAM：，刷新需要，较快速度，量大容。脑用的内存条(以前的电)

　　完整性持数据。稳态电路的形式来存储数据SRAM内部采用的是双。电路布局很是复杂所以SRAM的。比DRAM的成本高的多制造不异容量的SRAM。为如斯正因，遭到了限制才使其成长。U内部的一级缓存以及内置的二级缓存因而目前SRAM根基上只用于CP。路由器上可以或许利用SRAM仅有少量的收集办事器以及。

　　H都是此刻用得比力多的非易失性闪存NANDFLASH和NORFLAS。的并行接口NOR采用，之NAND欢愉良多倍其特点读取的速度比，在NOR里面运转其法式能够间接。除速度比力慢可是它的擦，度低集成，高的成本。量一般在2M摆布此刻的NOR的容，小的嵌入式产物方面一般是用在代码量。的开辟板上能够看见还有就是在ARM9。

　　AMDR，存取存储器动态随机，断的刷新需要不，存数据才能保。地址复用的并且是行列，有页模式很多都。

　　静态RAMSRAM：，刷新不消，以很是快速度可，的cache像CPU内部，态RAM都是静，需要的晶体管数量多错误谬误是一个内存单位，格高贵因此价，不大容量。

　　存储在四个晶体管傍边SRAM中的每一位均，两个交叉耦合反向器这四个晶体管构成了。有两个不变形态这个存储单位具，为0和1凡是暗示。制读或写操作过程中存储单位的拜候别的还需要两个拜候晶体管用于控。此因，要六个MOSFET一个存储位凡是需。M的拜候速度要快于DRAM对称的电路布局使得SRA。缘由是SRAM能够一次领受所有的地址位SRAM比DRAM拜候速度快的别的一个，址和列地址复用的布局而DRAM则利用行地。

　　种很是主要的存储器SRAM其实是一，途普遍它的用。速度很是快SRAM的，和刷新时可以或许在快速读取保

　　ND呢而NA，串行的接口采用的是，取数据的速度很慢CPU从里面读，把NAND里面的数据先读到内存里面所以一般用NAND做闪存的话就必需，才可以或许施行然后CPU。的硬盘样的就跟电脑。集成度很高可是它的，NAND还没有一块2M的NOR的一半大我的ARM9的开辟板上面一块256M的，本很低所以成。速度也的NOR要快还有就是它的擦除。就真的悲剧了要否则的话那，的NOR要一分钟假如擦除一块2M，速度比NOR还要慢若是NAND的擦除，NAND不是要几个小时那擦除一块256M的。型的操作系统的嵌入式产物上面NAND一般是用在那些要跑大，NUX啊好比LI，CE啊WIN。是能够跑NOR可，作系统剪裁到2M以内能够把LINUX操，统吗?用户的使用法式呢一个产物莫非只去跑系!多时候其实很，式产物里面一个嵌入，空间只是一小部门操作系统占的存储，户跑使用法式的大部门都是给用。电脑就像，是几百G硬盘都，统所占的空间也不外几G罢了可是WINDOWNS操作系。

　　双通道同步动态RAMDDRSDRAM：，刷新需要，度快速，量大容。DR的内存条都好几代了(目前电脑就是用的D)

　　AMDR，存取存储器动态随机，断的刷新需要不，存数据才能保。地址复用的并且是行列，有页模式很多都。

　　态随机存储器SRAM：静，要刷新电路就是它不需，机存储器那样不像动态随，要刷新一次数据每隔一段时间就。成度比力低可是他集，量大的内存不适合做容，理器的缓存里面一般是用在处。有4K的SRAM用来做CPU启动时用的像S3C2440的ARM9处置器里面就。

　　mAccessMemory的缩写SRAM是StaticRando，随机拜候存储器中文寄义为静态，的半导体存储器它是一品种型。指只需不掉电“静态”是，的数据就不会丢失存储在SRAM中。M(DRAM)分歧这一点与动态RA，周期性的刷新操作DRAM需要进行。后然，OM)和FlashMemory相混合我们不该将SRAM与只读存储器(R，一种易失性存储器由于SRAM是，应的环境下才可以或许连结数据它只要在电源连结持续供。的内容能够以任何挨次拜候“随机拜候”是指存储器，问的是哪一个位置而不管前一次访。

　　双通道同步动态RAMDDRSDRAM：，刷新需要，度快速，量大容。DR的内存条都好几代了(目前电脑就是用的D)

　　的类型分从晶体管，极性与CMOS两种SRAM能够分为双。能上分从功，和同步SRAM(SSRAM)SRAM能够分为异步SRAM。拜候独立于时钟异步SRAM的，由地址的变化节制数据输入和输出都。在时钟的上升/下降沿启动同步SRAM的所有拜候都。制信号均于时钟信号相关地址、数据输入和其它控。

　　擦除可编程存储器EPROM：可，比力陈旧了这工具也，OM的前身是EEPR，面有个窗口在芯片的上，映照来擦除数据通过紫外线的。之麻烦很是。

　　利用FlashMemory制造闪存目前主板上的BIOS大多，是明灭的存储器翻译成中文就，作快闪存储器凡是把它称，闪存简称。上的电压来对BIOS进行升级操作这种存储器能够间接通过调理主板。

　　DynamicRAMDRAM的英文全称是，动态随机存储器翻译成中文就是。凡是的数据存取DRAM用于。内存有多大我们常说，RAM的容量次要是指D。

　　种)都能够统称RAM(下面蓝色字体的这几，ory(随机存取存储器)的缩写randomaccessmem，前所有的存储器的区别下面是大师拾掇的目。

　　编程只读存储器PROM：可，写一次只能，就得报废写错了，得很少了此刻用，片机里面用的就是这种存储器吧仿佛那些成本比力低的OPT单。

　　分歧导致了容量的分歧次要是存储单位布局。管和一个电容(不包罗行读出放大器等)一个DRAM存储单位大约需要一个晶体，元大约需要六个晶体管而一个SRAM存储单。M因为实现工艺问题DRAM和SDRA，RAM大容量较S，不如SRAM可是读写速度。