甜妻不撒娇网易新闻报道,中国监管机构已经要求电信运营商在 2027 年前逐步淘汰美国芯片,这一政策的实施将对英特尔和 AMD 等美国半导体巨头造成重大打击。
当前,一些基础通信设备多使用 28 纳米甚至更成熟制程的芯片;对于高性能的 5G 基站、核心路由器等关键设备,可能会用到 7 纳米乃至更先进制程的芯片,以满足高速数据处理和低功耗要求。
而这个制程精度,即便完全抛开荷兰阿斯麦光刻机,我们也能独立完成全产业链国产制程覆盖,这便是我们敢于逐步淘汰美国芯片的底气。
此监管要求,既是对美国霸道行径的有力回击,也是我国产业自信的体现,同时还意味着国产 EUV 可能已取得实质性进展。
要知道,EUV 光刻机的技术核心为光源系统、物镜系统、双工件台三大部件,国内在这三个方向均有重大突破进展。
上海微电子公布了“极紫外辐射发生装置及光刻设备”专利,该专利聚焦 EUV 光源收集这一关键难题,提出了一种高效简便的带电粒子收集方法,能延长光刻机收集器镜使用寿命。与 ASML 相比,此方法可更好地减少收集器镜污染,标志着中国在 EUV 核心技术上取得了实质性进展。
而长春光机所和中科院控股企业北京中科科美在 EUV 光刻机的超高精度真空双工件台领域取得突破性进展。按照我国核心科技的报道习惯,突破性进展的意义大家可以自行想象。
2021 年 10 月 27 日,据中国新闻网报道,长春光机所在光刻机物镜系统上已达成 32 纳米精度。
时过三年,长春光机所和中科院控股的中科科美在 EUV 光刻机超高精度物镜系统方面取得显著进展,虽未透露具体精度,但肯定是在 32 纳米基础上迈出了一大步。
至于和国际顶级镜片制造商德国蔡司的差距,我们不得而知。当前蔡司物镜最高可提供 13 纳米精度,而我们在 32 纳米基础上已过去三年,且有中科院加持研发,想必差距很小了。
手机芯片和 5G 通信领域的少许高端芯片,且针对的是特定企业如华为和中兴。但鉴于美国芯片禁售的收紧,这依然关系到我国手机链上的众多企业的生存安全。
这两个领域的芯片制程最高已下沉到3 -5 纳米,这是目前国产芯片尚未能触及的精度。不过离 2027 年还有三年,我们有足够信心和耐心等待国产 EUV 的凯旋。
至于美国上月禁售的 GPU 超算芯片、人工智能芯片,严格来说卡不了脖子。因为主流的超算芯片如英伟达 H100、H200 都采用 7 纳米工艺,我们完全能够自研。
我们在这个领域需要加快GPU芯片设计工作即可满足自身需求,如算力创新和核心优质数据积累,当然这并非易事。
拜登政府这次是求锤得锤了,2027 年究竟谁淘汰谁还不一定呢。没有 EUV 研发突破的底气,想必我们不会主动提出淘汰美国芯片。
够用就好,向突破西方封锁的科学家们致敬[祈祷][赞][加油][火炬][加油加油]
芯片美国人留着自己享用吧,听说芯片吃了补人呢,美国人最好夹在三明治里面吃,胖人吃了减肥,瘦人吃了更苗条,瘾君子吃了能顶白面能过瘾
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